淦，放棄放棄！
然后是7nm……
14nm……
……
全部看完，羅離徹底無奈了。
以他目前的系統積分，居然只能買得起130nm級別的光刻機！還特么是DUV光源！！
DUV光刻機和EUV光刻機能比？
寒磣誰呢？
DUV光刻機大多采用的是波長為193nm級別的氟化氬準分子激光，或者波長為248nm的氟化氪準分子激光，單次曝光的極限制程在128nm到90nm之間，多次曝光雖然可以將精度提升至最高28nm，但卻是以犧牲良品率為代價！
幾乎每重復一次曝光，損壞的幾率就增加一倍……靠DUV光刻機想要造出28nm制程芯片，至少需要曝光5次以上！
先不說你連續曝光五次最終能成功幾個，就算成功了，28nm也遠遠解決不了釘子現在的危機。
更別提暴增的材料成本了。
光刻工藝的核心資源是一種叫做光刻膠的化學合成劑，這東西在國內也無法制造。
在層層壟斷下，光刻膠的進口量就那么多，其他廠商會允許你這么浪費？
在目前，DUV光刻機受限于精度制程，已經無法滿足后來14nm、7nm、5nm等更高制程的需求了，這時候就需要依靠EUV光刻機。
EUV光刻機采用的是一種13.5nm的極紫外光，可以在大約200平方毫米的面積下集成超過105億顆晶體管。
用EUV光刻機制造7nm級芯片，只需要曝光一次。
在現階段，
國產芯片僅能滿足日常生產生活的基礎要求，高端光刻機無法進入國內，高級芯片生產的困難還是很嚴峻。
釘子如果想真正解決芯片的問題，第一件需要解決的就是光刻機精度。
“既然不能制造光刻機，那能不能對現有的光刻機制程進行改進？”
羅離忽然有了一個大膽的想法。
眾所周知，光刻機的曝光分辨率與波長直接相關，隨著科技的進步，極限光源的波長也在不斷縮小，從DUV光源的248nm級數不斷突破，一直來到現在的13.5nm極紫光束，進步不可謂不大。
這也是現在芯片技術能突破個位數的根本原因。
既然無法從其他資本手中買到高級光刻機，也無法憑空從系統中兌換，那有沒有可能通過系統的黑科技技術，將國內現有的光刻機工藝水平提升到世界水平……
思緒至此，羅離的心跳開始加快。
對啊，
改裝升級的成本可比從無到有低多了，而且現在國內的芯片工藝也不算太拉胯，要是……
羅離沒有絲毫猶豫，馬上打開系統兌換窗口，然后在搜索框中輸入文字。
再度摒棄一系列花里胡哨的科幻風選項，羅離一口氣直接將列表拖拽到最底下。
一行不起眼的小字出現在眼前。
【“穩態微距束”技術：20萬積分；】
光速瀏覽完介紹，羅離瞪大了眼睛。
就你了！
咬咬牙，直接選擇兌換！！
“唰！”
強光一閃而過。