就在一年后，時任SONY研究員的RB物理學家江崎玲于奈，發表了一篇關于PN結負阻特性的論文，在這篇論文里，江崎玲于奈用自己制造的二極管證明了半導體隧道效應理論。
而這篇論文的研究方向，實驗布置，同諾伊斯規劃的幾乎一模一樣。
1973年，江崎玲于奈憑借這篇論文獲得諾貝爾物理學獎，諾伊斯與巨大的榮譽失之交臂。
牛人終究是牛人。
創立仙童半導體后，諾伊斯揚名立萬的機會再次降臨。
當時仙童制造硅晶體管的流程是這樣的：
將提純的硅晶切割打磨成適用的硅片，經過擴散、照相、掩膜、蝕刻等一系列化學物理工序，在一塊硅片上生成上百個微小的晶體管，然后依靠大量人力對硅片進行切割，用鑷子來連接導線，最后封裝成獨立的晶體管元器件，如二極管，三極管等等。
1959年1月，諾伊斯突然產生一個想法：“既然可以在一塊硅片上制造這么多的晶體管，為何不把相關連線甚至電容和電阻都一起做上去呢？這樣完全可以用一塊硅片制造出整個電路來！”
這就是諾伊斯關于“集成電路”的最初設想，此時身為仙童總裁的他，完全有權限利用公司資源去很快實現這種設想。
然而，諾伊斯性格中致命的懶散習性發揮了作用，或許其中也有肖克利幾年強勢領導帶來的負面影響，沒有迫切的推動力，他絕不會急著去主動發明創造。
于是，他只是在筆記本上記下這個想法后就將它束之高閣，
直到兩個月后，TI公布了一項震驚世界的成果，他們的工程師杰克·基爾比，成功地在一塊鍺片上集成了一個震蕩電路，并已經提交專利申請。
集成電路的發明權就這樣落到基爾比頭上。
諾伊斯被炸懵了！
事情急迫，終于推動他展開行動，仙童僅用了一個月就推出了基于硅片的集成電路，性能和可制造性遠遠優于TI的那種結構。
自此，雙方開始了曠日持久的專利權訴訟糾紛，法庭最終一分為二的判決間接承認了諾伊斯和基爾比同為集成電路的發明人。
2000年，基爾比因為發明集成電路獲得諾貝爾物理獎，可惜那時候，諾伊斯已經去世，而基爾比發表獲獎感言時也謙虛地承認：
“如果諾伊斯還在，他應該與我分享這份榮譽”。
兩次諾貝爾獎，都因為性格中根深蒂固的劣性而失之交臂，這就是諾伊斯的阿喀琉斯之踵。
正是因為了解諾伊斯這種習性，張恒堅定認為，此時的諾伊斯絕不會真把微處理器當回事。
就如同男孩子對待玩具，哪怕暫時不想玩也不愿意放手，抱著將來說不定會想要好好玩玩的想法。
這次他來英特爾，A計劃是拿下8008系列的專利，從而在萌芽狀態就掐斷英特爾的CPU之路。
英特爾當然還可以另起爐灶，從其他路徑再次發展CPU，他們完全擁有這個技術實力，可那樣繞路的話，就注定會被大恒科技遠遠拋在后面。