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    第四百九十二章:為量子芯片提供理論基礎(3 / 3)

    徐川也不例外,尤其是他現在手上還掌控著這樣一個大殺器。

    只不過他在考慮的是,是和國家合作,一起發展量子計算機領域,構建規則,掌控量子霸權,還是自己先繼續研究一下。

    各有各的優勢,也各有各的缺點,的確很難讓人抉擇。

    思索了一下,徐川搖了搖頭,將腦海中的想法拋了出去。

    先走一步看一步吧。量子計算機的發展,他目前也抽不出什么時間來做這事。

    小型化可控核聚變技術和空天發動機都還沒搞定,目前最主要的精力還是先放到這個上面再說。

    收拾了一下書桌上的雜亂,徐川站起身,洗了個澡后趕往了川海材料研究所。

    高臨界磁場的超導材料在模擬實驗中已經得到了數據支持,接下來自然是將其通過真正的實驗制備出來了。

    本來這項工作在三天前就應該開始了,結果他因為一些意外的靈感在別墅中研究了三天的時間,而樊鵬越那邊沒收到指令,也不敢擅自開始,就這樣拖了三天。

    不過徐川也沒太在意,這三天的時間,是完全值得的。

    進入實驗室,換上工作服,他找了兩個正式研究員當助理,親自開始制備引入了抗強磁性機理的高溫銅碳銀復合超導材料。

    制備這種改進型的超導材料,在前期的時候步驟并沒有多大區別。

    通過真空冶金設備制造出純度高、結晶組織好、粒度大小可控的原料,這是制備銅碳銀復合材料的基礎。

    隨后利用r磁控濺射設備,將制備好的納米材料濺射在srtio3基片上,形成一層薄膜。

    而從這里開始,就是轉折點了。

    在原本的高溫銅碳銀符合超導材料中,需要添加2體積分數的多壁碳納米管ts和表面鍍cu改性后的碳納米管作為增強相。

    但在強化超導體中,需要通過引入過量的cu納米粒的同時,在高溫高壓條件下通過電流刺激引導cu原子形成自旋,與c原子形成軌道雜化,來改善材料表面的結構。

    這一步的主要目的就是讓過量cu納米粒中的cu原子摻雜進入空穴中,進而產生非平凡的量子現象,促使磁力阱的產生。

    簡單的來說,就是磁力阱的產生需要外界補充能量,而高溫高壓以及導電等方式,就是補充手段和調整cu原子自旋角度的手段。

    這是納米級材料與超導體材料的性能和微觀結構優化的常用手段之一。

    除了高溫高壓外,還有滲透生長、溶液法、氣相沉積法、物理沉積法等辦法。

    但因為需要額外補充能量的關系,這些手段大概都不太適合強化臨界磁場的超導體。

    如果高溫高壓引導法不適合改進型的超導材料,剩下的唯一途徑,恐怕就是通過離子注入機來完成了。

    但離子注入機的能級太高,會在較大程度上損壞超導體,降低性能不說,工業化量產也是個相當麻煩的事情。

    畢竟這是原材料的制備,不是半導體的生產,總得考慮性價比和制備難度。

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