法爾特深吸一口氣，緩緩開口，聲音中透露出難以掩飾的激動：
“和黃所說的一樣，他們構建的這套理論，描述了離子在固體中分布和停留，完全可以看作是這個領域的標準模型。
它描述了高能離子束轟擊硅晶體時，離子在材料中的分布規律。理論的核心是離子能量損失的兩種機制，也就是核阻止和電子阻止。
黃通過求傳輸方程，給出了離子在材料中的深度分布，它認為這樣的分布近似于高斯分布。
哦天哪！他甚至還根據離子種類和能量，試圖去精確計算離子平均的穿透深度和分布的方差。”
法爾特的手指在論文上劃過，指向一幅高斯分布曲線，
“你們看這里，他們展示了摻雜劑在硅晶體中的深度分布，并用霍爾效應測量驗證了結果，模擬與實驗數據高度吻合。
只是受限于實驗設備，他們的實驗做的比較粗糙，最終離子注入的效果也不夠好。
但他們的實驗結果雖然不好，但實驗結果和計算模擬的結果非常吻合！
不愧是黃，在理論物理上的造詣，有著大師級水準。”
赫爾曼問道：“法爾特教授，有沒有可能華國人偽造了實驗數據？”
法爾特搖頭道：“沒有必要，因為實驗我們能夠復現。
他們用來模擬的實驗結果用的就是基礎設備，又不是二次離子質譜技術。
總之如果快的話，我們這幾天就能模擬一個結果出來，看和華國的模型結果是否一致。
如果驗證成功的話，那么可以證明華國在理論基礎、模型構建和模擬計算上確實有自己的一套。”
赫爾曼問道：“所以，法爾特教授，您的意思是我們應該要和華國合作？”
法爾特點頭：“當然。”
東德的德累斯頓將在未來慢慢成長為整個蘇俄陣營的微電子和半導體工業中心。
在八十年底的時候，擁有超過四萬名雇員。
而其中最大的企業是生產dram，也就是存儲芯片的zmdi。
東德zmdu61000，1mb存儲量，cmos工藝，東德冷戰末期生產的最高端內存芯片。
什么水平，大致和日立、nec1984年同等水平。
不能算強，但絕不算弱。
而現在，得益于ogas計劃，東德已經提前往半導體領域投入資源了。
如果不是因為這個原因，他們壓根不可能會派魏斯和穆勒前往華國，只為確認華國的技術到底到了哪個地步。
因為如果不是對半導體空前重視，華國在蘇俄陣營的工業版圖里確實排不上號。
華國掌握的是一部分釋經權，以及農業和軍事，它的定位不是工業國，此時的蘇俄也不希望華國成為工業國。
如果華國在工業技術上達到和東德一個水平，恐怕蘇俄要夜不能寐了。
片刻后法爾特接著說道：“華國同行們繪制了離子深度分布曲線，并且展示了他們的理論和實驗高度一致。
我認為我們應該推動合作。”
赫爾曼聽完后點頭道：“我會去推動此事的，不過你們別報太大期望。
畢竟華國同行們想要合作的技術里，離子注入相關設備還是過于敏感，你們知道的。”
在座各位面面相覷。
大家都是知識分子，看報紙屬于是每日例行任務了。
自然知道，此時華國正在研發原子彈。